DF11MR12W1M1B11BOMA1

รูปภาพใช้เพื่อการอ้างอิง โปรดติดต่อเราเพื่อรับภาพจริง

ส่วนผู้ผลิต	DF11MR12W1M1B11BOMA1
ผู้ผลิต	Rochester Electronics
คำอธิบาย	IGBT MODULE
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
ตระกูล	ทรานซิสเตอร์ - เฟต มอสเฟต - อาร์เรย์
วงจรชีวิต:	New from this manufacturer.
จัดส่ง:	DHL FedEx Ups TNT EMS
การชำระเงิน	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
แผ่นข้อมูล	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

ความพร้อมใช้งาน

มีสินค้า	83
ราคาต่อหน่วย	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด:	*
บรรจุุภัณฑ์:	Bulk
สถานะชิ้นส่วน:	Active
แบบเฟต:	2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ fet:	Silicon Carbide (SiC)
ระบายไปยังแรงดันต้นทาง (vdss):	1200V (1.2kV)
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (id) @ 25°c:	50A
rds บน (สูงสุด) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (สูงสุด) @ id:	5.5V @ 20mA
ค่าประตู (qg) (สูงสุด) @ vgs:	125nC @ 5V
ความจุอินพุต (ciss) (สูงสุด) @ vds:	3950pF @ 800V
พลัง - max:	20mW
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กล่อง:	Module
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.